VA液晶在不向液晶单元实施电压时，液晶分子通常处于垂直竖立状态，在施加电压后液晶分子会横向倒下。这时，为了使液晶分子倒向特定的方向，一般需要在底板上形成突起物，或在像素电极中加入缝隙。不过，突起物及缝隙周围的液晶配向会发生紊乱，使背照光发生泄漏，从而导致对比度下降。而使用此次的配向技术，就不再需要形成突起物及像素电极缝隙，能够大幅减少液晶配向紊乱导致的漏光现象。

　　另外，此次的配向技术还可有效提高VA液晶面板的响应速度。普通VA液晶在施加电压时突起物及缝隙边的液晶分子会倒向某一方向，这时垂直配向的液晶分子就会像多米诺骨牌一样顺势横向倒下。因此，等到所有液晶分子全部倒下，需要较长的时间。而使用此次的配向技术后，几乎所有的液晶分子能以一次性倾斜（89度倾角）方式从垂直状态倒向特定的方向，在施加电压时液晶分子会同时横向倒下。

　　此次的液晶配向技术的概要如下。首先在形成ITO电极的玻璃底板上涂布液晶单体。然后通过控制热状态使液晶单体垂直配向。最后在磁场中照射紫外线。结果导致液晶单体膜高分子化，而且液晶分子会从垂直状态向特定方向略微倾斜。这样便确定了注入液晶单元内的液晶分子（负性）的配向方向及倾角。