飞思卡尔推出用于GSM和EDGE基站的RFIC

飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)日前在3GSM世界大会上首次展示了能够为GSM和EDGE网络基站提供100W射频输出功率的双级射频集成电路(RFIC)。

该设备是目前投入商用的功率最高的双级RFIC设备。当由飞思卡尔的MMG3005N通用放大器驱动(GPA)时，MWE6IC9100N和MW7IC18100N RFIC就构成了100W功率放大器解决方案，用于运行在频率从900到1,800MHz的无线基站。

该解决方案的优势在于非常适合GSM和EDGE市场。此前，双级RFIC设备的输出功率不到30W，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50dB增益，GSM EDGE发射机一般都需要100W的输出功率。现在，只需要一个GPA和一个RFIC就可满足这种需要。

MWE6IC9100N技术规范：

MWE6IC9100N设计用于869至894MHz的蜂窝频率和920至960MHz的GSM波段。对GSM操作来说，本设备可以在28V AB级偏压条件下的1-dB增益压缩(P1dB)上提供至少100W的CW输出功率。增益是33.5dB，功率增加的效率超过了计划运行范围的52%。在EDGE应用的28V漏偏压和50W的平均输出电压中，MWE6IC9100N分别通过400kHz和600kHz上的-63dBc和-81dBc的频谱再生来满足严格的线性要求，其中有2% rms的EVM。

MW7IC18100N技术规范：

MW7IC18100N涵盖1,805至1,880MHz和1,930至1,990MHz两个波段，能够通过30dB的增益，提供100W CW的P1dB射频输出功率。当运行在28V电压上的GSM环境中时，功率增加的效率超过了计划运行范围的48%。EDGE的性能包括40W的平均功率、-63dBc(400kHz偏移量)和-80dBc(800kHz偏移量)的频谱再生，具有1.5% rms的EVM。

RFIC采用超模压塑料封装，具有内部匹配性和良好的稳定性。RFIC具有集成的ESD保护，符合RoHS要求，可处理200℃的联结温度。它们还包括集成的静态电流热追综设备，可提供高效的温度补偿。在所有放大器的115℃的操作温度范围内，在5%的浮动范围内保持电流恒定。

RFIC结合了自动偏置功能，有助于简化功率放大器系统的设计，使设计人员能够用最小的外部电路设置放大器偏压。此外，设备还可用最少的控制电路，通过自动补偿来设置理想的漏静态电流。

供货情况

MWE6IC9100N现已批量生产，产品已上市。MW7IC18100N现在也在打样，计划于2007年3月批量生产。现在，两种产品均可使用MMG3005N的验证的射频和全部演示。