全球首颗CMOS单芯片TD-SCDMA射频IC完成流片和测试

锐迪科微电子(RDA)公司近日宣布，由其独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD－SCDMA终端射频芯片，已经完成工程样片流片和基带厂商测试。应用该款芯片的手机制造和调试进展顺利，预计将于近期内实现量产。这款芯片是全球首颗基于CMOS技术的单芯片TD-SCDMA射频芯片，其良好的集成度、稳定性和高性价比优势被业界普遍看好。

除射频芯片外，锐迪科公司还研发设计成功TD-SCDMA功率放大器和射频开关，成为能够提供完整的TD-SCDMA射频前端解决方案的厂商，锐迪科在TD-SCDMADMA终端核心芯片技术方面的重大突破，为TD-SCDMA终端产业化提供了强有力的技术上准备。

对TD-SCDMA终端产品来说，射频芯片与基带芯片是无线通信终端的两大核心技术。在TD-SCMDA手机的基带芯片方面，目前已经有国内公司推出了样片，可是在射频终端芯片方面除了个别国外厂商外，还没有一家国内企业可以提供商业化样片。即使是国外公司，其采用的设计架构也不能代表世界最先进水平，在良品率和成本表现方面差强人意。作为TD-SCDMA产业链上的技术核心，射频终端芯片却一直被视为阻碍中国3G产业发展的“短板”和瓶颈。

2005年中，在大灵通(SCDMA)手机射频套片成功实现产业化的基础上，锐迪科微电子开始投入力量开发具有中国自主标准的第三代移动通信(3G)TD-SCDMA射频芯片。结合公司射频集成电路领域取得的最新成果，在0.18微米CMOS射频工艺技术上，创新性地设计和研发TD-SCDMA全集成射频芯片，采用世界上最先进的数字/模拟混合信号CMOS半导体技术和数字零中频(ZERO－IF)接收结构，在提高集成度和降低成本方面取得重大突破，大大降低了手机版的设计难度，并为今后实现基带芯片和射频芯片完全集成预留了发展空间。该射频收发器方案支持目前普遍使用的国外方案支持的2010－2025MHz频段，并同时支持1880－1920MHz频段，可以在两个频段间自由切换；并突破性的在基带信号上采用硬件DSP处理技术，克服了诸多技术难题，极大提高了芯片性能，降低了功耗和成本。