三星采用40纳米制造技术开发32GB闪存芯片

　　天极网9月12日消息(他山石编译)据外电报道，韩国三星电子公司宣布，它最新开发的NAND闪存芯片完全能够储存3.6万幅高分辨率照片或40部电影文件。

　　三星电子是全球最大的储存芯片制造商。它已经开发出了全球首款储存容量为32GB的闪存芯片，新的芯片采用了最先进的40纳米制造技术。高储存容量芯片的开发极大的延长了NAND闪存芯片的使用期限，由于这种NAND闪存芯片在断电后仍然能够保存数据，目前普遍

被使用于数码相机、MP3播放器和其他多媒体电子产品中。

　　三星电子表示，新开发的芯片将保证更高的可靠性，对储存的数据能够更好的控制。最先进的40纳米制造工艺可以使更多的产品微型化，使消费电子产品获得更高的经济效益。

　　去年三星电子公司储存容量为16GB的NAND闪存芯片已经开始大量生产，这种芯片采用了50纳米制造技术。