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美光科技：中高档手机将向NAND闪存过渡

DATE	2006/08/17/01

　　【日经BP社报道】

中高档手机3年后应用处理器和基带处理器将集成为单芯片，而外置的非挥发性内存预计将向NAND闪存集中

对ONFI制定的标准接口的优点进行了说明

　　“手机使用的闪存有可能出现分化，中高档产品使用NAND型，低档产品使用NOR型。”美国美光科技公司负责NAND闪存业务和NAND开发工作的副总裁Frankie Roohparvar在“Flash Memory Summit 2006”峰会的主题演讲中说道。

　　目前手机通常使用NOR闪存外置于基带处理器上，用来保存系统程序等内容。而在保存拍照数据和音乐数据等用途方面则外置应用处理器或者以小型存储卡的形式使用NAND闪存。

　　Roohparvar指出，手机架构正在不断变化，同时将带来闪存的变化。现有手机作为独立芯片同时配备应用处理器和基带处理器。而数年后在中高档产品中预计将会配备将二者集成于一个芯片的LSI。Roohparvar指出，届时，出于削减元件数量和降低产品价格的要求，“外置于处理器的闪存有可能向NAND型过渡”

　　不过，有望在“金砖四国（BRICs）”等新兴市场普及的低档产品将只提供基本的通话功能。因此，考虑到耗电量、性能和价格，将会继续使用NOR型和伪SRAM（PSRAM）内存（图1）。

　　Roohparvar还谈到了业界团体ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）正为NAND闪存制定的标准接口的优点（图2）。该团体2006年5月由韩国海力士半导体和英特尔以及美光等公司共同成立。主要负责NAND闪存指令集/协议、时序参数、电气规格、端子配置的标准化。计划2006年下半年公布接口标准。（记者：堀切近史）

■日文原文
「ケータイの中上位機種はNANDフラッシュへ移行」，Micron社が指摘

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