英飞凌与英特尔展开技术合作，共同开发高密度SIM卡解决方案

发布时间：2007-12-07 　　来源网站：wx800　　　来源媒体：电子工程专辑　　 点击次数：

　　英飞凌科技股份公司近日在巴黎国际智能卡工业展（Cartes展）上，宣布与英特尔公司开展战略技术合作，开发面向高密度（HD）SIM卡优化的芯片解决方案。根据合作协议，英飞凌将利用英特尔提供的4MB至64MB存储器打造模块化芯片解决方案。英飞凌将利用在安全硬件方面的突出技术专长，开发基于现有SLE 88系列的32位安全微控制器，以应用于HD SIM卡。英特尔将提供领先的闪存技术、功能和制造工艺。　　
　　这种密切的技术合作可使英飞凌的高密度安全微控制器与英特尔的闪存解决方案实现最佳契合，以高效集成至HD SIM卡中。首批开发的解决方案的容量将达到64MB，NOR闪存采用65nm和45nm工艺制造。目前，安全微控制器采用适用于智能卡芯片的130纳米先进工艺制造。根据ETSI规范，所有HD SIM卡解决方案的工作电压范围均为1.8 V至3.3V。SLE 88系列设计理念允许针对现有SIM卡开发的操作系统软件能够轻松重复利用。
　　美国市场研究公司Frost & Sullivan预计，到2010年HD SIM卡将约占整个SIM卡市场的6%至8%，其数量将从2007年的大约25亿张增至约38亿张。　　

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