三星开发出30纳米NAND闪存芯片09年量产

发布时间：2007-10-24 　　来源网站：c114　　　来源媒体：CNET科技资讯网　　 点击次数：

　　本周二，三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。
　　三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说，这种闪存芯片是提高闪存芯片存储密谋计划中的一大进步。
　　三星称这款芯片是这类芯片中的第一款，也标志着闪存芯片的存储密度已经是连续8年翻番，NAND闪存芯片的生产工艺已经连续7年得到改进。

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