传东芝技术将NAND闪存寿命提高百倍

发布时间：2007-09-29 　　来源网站：c114　　　来源媒体：赛迪网　　 点击次数：

　　9月29日消息，据外电报道，硬盘厂商东芝显然找到了解决固态硬盘最头疼的问题的答案。NAND闪存芯片有写入次数的限制，因此在使用寿命方面明显低于机电硬盘。但是，据nikkei.net网站报道，东芝有一项内部设计能够把NAND闪存的写入覆盖次数提高100倍。
　　东芝采用的这种设计是把数据写入DRAM内存，而不是直接写入到NAND闪存，特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。DRAM内存中存储的数据在关机前将被传送到NAND闪存。

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