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英特尔中国建厂计划获美国政府批准 2010年投产
发布时间:2007-03-26
来源网站:cecn 来源媒体:中国新闻网
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【文章简介】
来自知情人士的消息称,英特尔在中国投资建厂的计划已经获得了美国政府的批准。据预计,该工厂有望于2010年投产。
据美国《电子工程时报》报道,英特尔CEO欧德宁(PaulOtellini)今日(周一)将在人民大会堂举行记者招待会。届时,预计欧德宁将正式宣布该消息。
本月14日有报道称,中国国家发改委已批准英特尔在大连建芯片工厂的计划,英特尔将投资25亿美元在大连建立一座12英寸硅晶圆工厂,基于300毫米、90纳米制造工艺。
据美国《电子工程时报》报道,英特尔CEO欧德宁(PaulOtellini)今日(周一)将在人民大会堂举行记者招待会。届时,预计欧德宁将正式宣布该消息。
本月14日有报道称,中国国家发改委已批准英特尔在大连建芯片工厂的计划,英特尔将投资25亿美元在大连建立一座12英寸硅晶圆工厂,基于300毫米、90纳米制造工艺。
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